职位描述
职责描述：
1.执行前段工艺可靠性测试，如HCI、NBTI、PBTI、GOI、C-V、Charge pumping；
2.研究、开发新的半导体器件可靠性测试方法和标准；
3.设计可靠性测试结构；
4.研究先进制程中的可靠性失效机理；
5.评估工艺异常导致的可靠性风险。
任职要求：
1.有良好的半导体物理或固体物理基础。5年以上工艺可靠性或者工艺开发经验，2年以上先进逻辑可靠性或者工艺开发经验。
2.对集成电路前段可靠性如HCI、NBTI、PBTI、GOI的失效机理和测试方法有深入了解，或者有MOS器件工艺开发、电性测试相关经验。硕士及以上。